6英寸Si衬底高质量AlGaN/GaN HEMT结构异质外延

       传统的硅（Si）功率器件因材料限制逐渐不能满足未来功率电子器件的发展趋势。作为重要的第三代宽禁带半导体材料GaN，因其禁带宽度大、击穿电场高，异质结二维电子气浓度高、电子饱和漂移速度高，且化学惰性和高温稳定性好，从而能够获得很高的击穿电压和功率密度以及极高的工作频率，较小的开关损耗。

       基于AlGaN/GaN异质结构的增强型HEMT器件的制备是实现GaN基功率电子器件实际应用的必经之路，也是技术难点。由于各种因素的限制，在大尺寸晶圆上实现均匀、稳定、重复、低损伤的干法刻蚀工艺非常困难。在此背景下，本项目团队提出了一种具有自主知识产权的制备p-GaN栅HEMT新技术，它避免了刻蚀损伤，采用平面工艺钝化的原位高阻GaN帽层可提高器件耐压、抑制电流崩塌，且工艺成本低廉，具有极大的市场应用潜力。